~ 打造新世代功率解決方案 ~
上海2026年5月27日 /美通社/ — 全球電子設計與製造服務領導廠商USI環旭電子今日宣布，其於新世代功率解決方案領域所開發的先進功率半導體封裝技術取得重大突破。憑藉卓越的基板與模組整合能力，環旭電子成功將碳化矽（SiC）晶粒預埋於多層ABF基板之中，並創新採用單面銅裸露（SSC）模組封裝技術，使得業界標準功率封裝體得以整合陶瓷絕緣基板與無線鍵合工藝。
USI環旭電子功率模組－SiC晶片預埋基板
此創新設計為內絕緣功率分立器件帶來重大的技術突破，封裝本體即具備卓越的電氣絕緣能力，並同時展現低雜散電感與極低的導通阻抗的優勢。為回應市場對高效率、高散熱及高功率密度的迫切需求，環旭電子的晶片預埋封裝技術相較於傳統封裝方案，能顯著降低導通損耗、減少熱能累積，並強化長期運作的可靠性。透過內部整合陶瓷基板，封裝體即可提供穩定的電氣絕緣效果，無需依賴外部絕緣材料；同時，創新的無線鍵合工藝使得薄型封裝能容納更大晶片，進一步提升功率密度，並推動高集成系統設計的實現。
「隨著功率平台持續邁向高效率與高功率密度的方向發展，先進封裝技術在提升整體系統效能的重要性愈加凸顯，」環旭電子新產品導入中心資深處長陳治宇表示。「透過在業界標準功率封裝體中整合SiC/GaN晶片預埋基板、陶瓷絕緣基板以及無線鍵合工藝，環旭電子正推動新一代兼具輕薄化、高效率與高可靠性的功率封裝方案，並積極拓展於電動車、AI資料中心、和人形機器人等多元應用領域。」
環旭電子指出，低雜散電感、低導通阻抗與高效散熱能力的協同效應，顯著提升了能源轉換效率與產品可靠性。此項技術突破將推動汽車與工業市場加速邁向更高效率的新世代電氣化平台。
除了功率模組外， 環旭電子亦提供涵蓋設計至量產的一站式汽車動力系統服務，包括高密度400V/800V逆變器系統、智慧電池斷電單元（iBDU），以及整合OBC 與DCDC轉換器的Xin1系統方案。結合先進工程、PCBA與系統組裝能力，為客戶提供從產品開發到大規模量產的完整解決方案。
USI環旭電子將於2026年6月9日至11日參加在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2026，並於Hall 4-158展位展示其最新晶片預埋封裝技術、先進功率模組及系統整合解決方案。誠摯邀請業界夥伴與環旭電子專家會面交流，深入了解先進封裝技術如何為電動車、AI資料中心與人形機器人等應用帶來更高效率與更高可靠度，同時探討環旭電子如何透過一站式設計至量產服務，加速產品開發並縮短上市時程。
關於USI環旭電子 (上海證券交易所股票代碼: 601231)
USI環旭電子是全球電子設計製造領先廠商，在SiP (System-in-Package)技術領域居行業領先地位。環旭電子運營的生產服務據點遍佈亞洲、歐洲、美洲、非洲四大洲，在全球為品牌客戶提供電子產品設計(Design)、生產製造(Manufacturing)、微小化(Miniaturization)、行業軟硬件解決方案(Solutions)以及物料採購、物流與維修服務(Services) 等全方位D(MS)2服務。環旭電子為日月光投控(TWSE: 3711, NYSE: ASX)成員之一。更多信息，請查詢www.usiglobal.com或者在LinkedIn、微信(帳號：环旭电子USI)和YouTube關注我們。
