商傳媒｜記者許方達／綜合報導
《路透》最新報導披露，韓國三星電子研發的第五代HBM3E記憶體晶片終於通過輝達測試，預計在今年第四季就會展開供應。由於事關機密，三星和輝達目前對此均拒絕置評。
記者引述知情人士說法指出，目前三星及輝達尚未針對通過驗證的8層堆疊HBM3E敲定供應合約，但預料雙方應該很快就會簽約，且預計在今年底開始供貨。消息也指出，三星的12層堆疊HBM3E仍未通過輝達驗證。
HBM是一種動態隨機存取記憶體或DRAM標準，於2013年首次推出，其中的晶片採用垂直堆疊方式，以節省空間並降低功耗。HBM是AI繪圖處理器(GPU)的關鍵要素，主要負責處理複雜應用程序所產生的大量數據。
綜合外媒5月報導分析，三星自去年以來，持續尋求通過輝達對HBM3E以及之前第4代HBM3晶片的測試，但由於發熱和功耗問題無法解決而陷入困境。知情人士透露，目前三星已修改HBM3E的設計，成功化解上述問題。
高頻寬記憶體(HBM)正成為AI軍備競賽中的一項關鍵技術，集邦科技(TrendForce)指出，HBM3E晶片很可能成為今年市場上的主流HBM產品，出貨量將集中在下半年。目前相關產品的企業龍頭僅有三家，分別是美國記憶體大廠美光(Micron)、韓國SK海力士(SK Hynix)及三星電子。其中，SK海力士一直是輝達主要的HBM晶片供應商，美光也宣告將供應HBM3E給輝達。
SK海力士曾估計，直到2027年，HBM記憶體的總體需求年增速可能高達82%。三星也預測，HBM3E晶片到了今年第四季，將占其HBM晶片銷量約60%。分析師普遍表示，如果三星最新的HBM晶片能在第三季前獲得輝達最終核准，這一目標就有望實現。
